來自路(lu)明科技、凹凸科技、國星光(guang)電(dian)、雷(lei)曼光(guang)電(dian)、英(ying)飛特電(dian)子(zi)等LED相關制造商，以(yi)及工信部(bu)、行(xing)業協(xie)會、研究(jiu)機構的(de)領導與專家(jia)(jia)和(he)現(xian)場(chang)(chang)聽眾分享了2011年最新的(de)LED市場(chang)(chang)趨勢(shi)與商機，以(yi)及技術、策略，整個論壇分享和(he)互動(dong)氣氛熱烈，專家(jia)(jia)與聽眾深入(ru)溝通交(jiao)流。

      我國LED重大裝備、襯底和外延材料、芯片制造、器件封裝以及應用等方面均已顯現具有自主知識產權的單元技術，部分核心技術具有原創性，初步形成了從上游 材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應用的比較完整的研發與產業體系，為我國LED產業做大做強在一定程度上奠定了基礎。
      國內唯一首次利用自主研發的MOCVD工程化樣機（7×2’’）生長LED達到8mW；國內首臺MOCVD設備制造的藍光小芯片LED在20mA下發光功率達到8.3mW，發光波長460nm。
     HVPE設備可能成為未來半導體照明的核心基礎設備，目前上還尚無成熟的商業化國際設備，國內自主研制的HVPE設備生長的材料性能：HVPE GaN外延片XRD衍射半峰寬141弧秒，為當時國內報道的最好水平；C面GaN厚膜生長速度超過100微米/h，表面粗糙度5-6nm，雙晶結果 (002)約105arcsec，(102)為140arcsec，顯示了高晶體質量；半極性GaN厚膜表面粗糙度6 nm左右，表面層錯大幅度降低，雙晶最好結果約低于300 arcsec，是目前報道的最好結果之一。
      半導體照明“十二五”重大項目的各項任務，其最終目標都是圍繞面向200lm/W的半導體通用照明目標而努力。未來十年GaN襯底是實現200lm/W半導體照明技術最有潛力的技術，將推動半導體照明進入通用照明市場。

     在此基礎上，2012中國LED產業健康發展高峰論壇相信會更加精彩！